Кумахов Адиль Мухадинович (RU)

Использование: технология производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения: повышение выходной мощности, технологической воспроизводимости, расширение диапазона работы, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность: сформированные полупроводниковые приборы на конечной стадии их изготовления обрабатывают высокоэнергетичными электронами дозой 8·...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает кремниевую полупроводниковую пластину с эпитаксиальным слоем, в которой формируются базовая и эмиттерная области. Низколегированную базу формируют имплантацией бора ионным легированием области базы дозой 8-10 мкКл·см-2, энергией 1...