Пашкевич Дмитрий Сергеевич (RU)
Изобретатель Пашкевич Дмитрий Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, гео...
2275714