Довнар Николай Александрович[BY]

 Использование: в микроэлектронике, в частности способах создания накопительных конденсаторов УБИС ДЗУПВ. Сущность изобретения: способ предусматривает осаждение легированных пленок поликристаллического кремния с нанесением островкового подслоя толщиной 2-9,5 нм с последующим его отжигом в смеси гексафторида вольфрама с инертным газом /соотношение (1:5):(1:50)/ при 250-300 oC и давлении 15-...

 Изобретение относится к технологии изготовления накопительных конденсаторов в элементах памяти интегральных схем. Его использование позволяет повысить выход годных интегральных схем и их качество за счет снижения дефектности. Способ включает нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с диэлектрическим слоем и с контактным окном первого проводящего слоя, формирование в нем части п...