Тер-Мартиросян А.Л.

 Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической, спектрометрии, геологии и т.д. Сущность изобретения: в инжекционном полупроводниковом лазере, изготовленном на основе гетероструктуры, с эми...

 Изобретение относится к медицине и предназначено для лечения новообразований, в том числе злокачественных. Осуществляют первичное воздействие на новообразования оптическим излучением в дозе 50 - 100 ДЖ/см2 с плотностью мощности излучения 0,1 - 10 Вт/см2 на одно поле. При установлении уменьшения его размеров периодически повторяют воздействие на него оптическим излучением в той же дозе до...

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекуляр...

 Изобретение относится к медицине и может быть использовано для лечения новообразований, в том числе злокачественных. Воздействуют лазерным излучением. Первоначально определяют значение плотности мощности излучения, при котором появляется коагуляция облучаемых тканей. Затем проводят облучение с плотностью мощности ниже этого значения, но не менее 0,1 Вт/см2. Способ позволяет исключить прим...

 Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содер...

 Использование: полупроводниковые приборы: светодиоды, лазерные диоды, биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в эпитаксиальной полупроводниковой структуре нитридов элементов группы А3 на кристаллической подложке между р-слоем и внешним металлическим контактным слоем размещен слой полупроводникового соединения InAs р-типа. В полупроводниковом соединении InAs р-типа часть атомов In за...