Гарцев Николай Александрович (RU)
Изобретатель Гарцев Николай Александрович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ измерения времени ядерной спин-спиновой релаксации Способ измерения времени ядерной спин-спиновой релаксации](https://img.patentdb.ru/i/200x200/42bb46d8e61ca719a169231241c9e016.jpg)
Способ измерения времени ядерной спин-спиновой релаксации
Использование: для измерения времени ядерной спин-спиновой релаксации. Сущность: заключается в том, что на исследуемый образец, помещенный в датчик радиоспектрометра, воздействуют первой группой из двух импульсов высокочастотного магнитного поля, разделенных временным интервалом, частота магнитного поля в импульсах одинакова и лежит в области заранее определенной частоты резонанса ядер исследуемог...
2277707![Высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения с увеличенной энергией лавинного пробоя Высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения с увеличенной энергией лавинного пробоя](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1c8de00666e17a68f1bd0bd3886bb0fe.jpg)
Высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения с увеличенной энергией лавинного пробоя
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и увеличенной энергией лавинного пробоя. Техническим результатом изобретения является увеличение энергии лавинного пробоя высоковольтных импульсных ограничителе...
2280295![Способ изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов Способ изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e2ffaad918eec66bafbb0b5c3d2ab604.jpg)
Способ изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов
Изобретение относится к технологии мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов на каждом i-том резистивном элементе изготавливаемой партии резисторов до облучения измеряется величина изменения сопротивления, после этого партия резисторов делится на к групп с заданным интервалом величины изменения сопротивления...
2361317![Световой прибор с повышенной световой отдачей на основе светодиодов Световой прибор с повышенной световой отдачей на основе светодиодов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/27db03d1693e7fe1f0d6a8f0fbe15478.jpg)
Световой прибор с повышенной световой отдачей на основе светодиодов
Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано при конструировании световых приборов. Целью данного изобретения является увеличение световой отдачи светового прибора на основе светодиодов. Указанная цель достигается тем, что светодиоды в каждой i-той цепочке подбираются по величинам их прямых напряжений, исходя из соотношения (I): , где UFij - фактическое значение величин...
2378565![Резистивный элемент высоковольтного полупроводникового резистора Резистивный элемент высоковольтного полупроводникового резистора](/img/empty.gif)
Резистивный элемент высоковольтного полупроводникового резистора
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано при разработке высоковольтных полупроводниковых резисторов с заданной зависимостью их сопротивления от приложенного напряжения. Техническим результатом изобретения является разработка конструкции резистивных элементов высоковольтных полупроводниковых резисторов, у которых относительное изменение величины сопротив...
2382438