Карпов Сергей Юрьевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. Сущность: структура элемента последовательно включает подложку, буферный слой, выполненный из нитридного материала, n-контактный слой, выполненный из GaN, легированного Si, активный слой, с двумя или более квантовыми ямами, выполненными из InXGa1-...

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с примыкающими к ней верхним и нижним дополнительными слоями, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Верхний и нижний волново...

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Согласно изобретению полупроводниковый инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Эмиттер р-проводимости выполнен из твердого раствора AlXpGa1-XpA...

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов. Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы, преимущественно нитридов металлов III группы, включает вакуумированный реактор 1, расположенные внутри реактора средство 2 для закрепления подложки 3 и по крайней мере один ис...