PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Батурин Андрей Сергеевич (RU)

Изобретатель Батурин Андрей Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Параметрический эталонный отражатель

Параметрический эталонный отражатель

Изобретение может быть использовано в качестве эталонного радиолокационного отражателя с известной эффективной поверхностью рассеяния при измерениях. Технический результат заключается в повышении эффективности отражателя за счет перераспределения большей части энергии падающей волны в боковые полосы, что обеспечивает выделение сигнала отражателя на фоне мешающих отражений. Сущность изобретения сос...

2277741

Способ измерения контактного сопротивления

Способ измерения контактного сопротивления

Изобретение относится к способам измерения электрических величин. Данный способ заключается в том, что через проводящий зонд атомно-силового микроскопа, который прижат с постоянной силой к поверхности исследуемого образца, пропускают электрический ток. Среднюю величину электрического тока поддерживают постоянной, посредством изменения постоянной составляющей напряжения, приложенного между зондом и...

2334238

Способ изготовления и восстановления зондов атомно-силового микроскопа для контактных электрических измерений

Способ изготовления и восстановления зондов атомно-силового микроскопа для контактных электрических измерений

Изобретение относится к способам изготовления и восстановления зондов атомно-силового микроскопа. Данный способ реализуется следующим образом. Зонд сближают с поверхностью проводящего вещества в жидком состоянии, хорошо смачивающего материал зонда и проводящего покрытия, нанесенного на проводящую подложку. Между подложкой и зондом прикладывают электрическое напряжение, которое изменяют таким обра...

2381988

Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые парамет...

2408940

Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных нанокомпозитных материалов с гигантским магниторезистивным эффектом и может быть использовано в магниторезистивных датчиках и магнитной памяти с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является создание композитной наноструктуры с высоким туннельным магниторезистивным эффектом с возможностью функционирования при рабочих температурах до 8...

2409515


Способ проведения ферментативного гидролиза белков, иммобилизованных на подложке сканирующего зондового микроскопа

Способ проведения ферментативного гидролиза белков, иммобилизованных на подложке сканирующего зондового микроскопа

Изобретение относится к биофизике и медицинской протеомике. Для проведения специфичного ферментативного гидролиза белков, иммобилизованных на поверхности подложки сканирующего зондового микроскопа, белки подвергают воздействию ультразвука и сайт-специфичного фермента в буферном растворе с величиной рН и при температуре, которые обеспечивают активность фермента. При этом перед проведением фермента...

2419796

Мемристор на основе смешанного оксида металлов

Мемристор на основе смешанного оксида металлов

Настоящее изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов. Такие мемристорные устройства со стабильными и повторяемыми характеристиками могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе аналоговой архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями...

2472254

Акустооптическая система

Акустооптическая система

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании лазерных установок гравировки, маркировки и раскройки материалов, а также проекционных систем повышенной четкости. Оптическая часть системы состоит из источника когерентного излучения (1), неаксиального акустооптического дефлектора (2) со светозвукопроводом (3) из кристалла пьезоэлектрического материала в виде призмы...

2486553