Кадушкин Владимир Иванович (RU)

Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано для реализации мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая наноструктура содержит квантовую яму с двумерным электронным газом, выполненную в виде слоя узкозонного полупроводника i-GaAs с запрещенной зоной Eg1 толщиной d1 и уровн...