Борисенко Елена Борисовна (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений.Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°...

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из э...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Сущность изобретения: получение нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te, температура источника испарения составляе...

Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона. Способ изготовления оптического фильтра рассеяния осуществляют прессованием порошка, при этом прессованию подвергается нанопорошок теллурида кадмия с размером зерна 10-15 нм при температуре от +18 до +25°С при давлении прессования 700-750 МПа. Технический результат заключается в создании...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25�...

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов из кристаллов полупроводников и может быть использовано в инфракрасной технике. Линзы изготавливают из селенида цинка созданием в монокристаллах селенида цинка плотности дислокации ≤5×105 см-2 и последующим разделением монокристаллов по плоскости спайности путем разрыва в направлении, находящемся под углом 89-91 град...

Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр, состоящий из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия, обеспечивает однородное ослабление излучения с длинами волн 2,5-15 мкм. Коэффициент ослабления можно регулиро...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. Оптический фильтр с активным элементом из слоя наночастиц теллурида цинка-кадмия Cd1-xZnxTe (0≤х<1) с размером наночастиц в слое 5-10 нм при толщине слоя 30-50 нм, причем слой выращен на поверхности пасс...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях. Сущность изобретения: в способе получения наностержней из селенида кадмия путем испарения расплава и осаждения паров на холодной подложке процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут. Способ позволяет получать наностержни CdSe диаметром 5-15...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками. Периодичность остановок находится в диапазоне...

Изобретение относится к термометрии и предназначено для определения температуры химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ, например соединений типа А2B6. В датчике температуры расплава, состоящем из чехла, термоэлектродов и фиксирующего их в чехле наполнителя, чехол выполнен из графита, а в качестве наполнителя использован спеченный тонкодисперсный порошок оксида алюминия. Технический...

Изобретение относится к нанотехнологиям полупроводников. Предлагается композиционный материал на основе нанокристаллов сульфида цинка и углеродных нанотрубок, в котором матрицей служат нанокристаллы сульфида цинка, а армирующим наполнителем являются углеродные нанотрубки, причем углеродные нанотрубки находятся внутри нанокристаллов, проходя непосредственно через их объем. Такой композит можно пр...

Нейтральные светофильтры применяются в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр состоит из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия. При этом указанный светофильтр снабжен оправкой, имеющей канал для теплоносителя. Технический результат: однородное ослабление излучения с длинами вол...

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм. Получение нанопорошка селе...

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением аргона 95-105 атм со скоростью движения зоны 9,5-10,3 мм/час. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы...

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Из...

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga...