Борисенко Дмитрий Николаевич (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений.Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°...

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из э...

Изобретение относится к области изготовления материалов для систем хранения водорода, а также к области получения углеродных нанотрубок и может использоваться при изготовлении углеродных нанотрубок, применяемых в качестве материала-носителя в различных системах аккумулирования водорода. Сущность изобретения: способ обработки углеродных нанотрубок предусматривает нагрев при температуре 1500-1600&#x...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Сущность изобретения: получение нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te, температура источника испарения составляе...

Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона. Способ изготовления оптического фильтра рассеяния осуществляют прессованием порошка, при этом прессованию подвергается нанопорошок теллурида кадмия с размером зерна 10-15 нм при температуре от +18 до +25°С при давлении прессования 700-750 МПа. Технический результат заключается в создании...

Изобретение относится к области получения наноструктур и может быть использовано в автономных системах хранения водорода. Сущность изобретения: углеродные нанотрубки получают в замкнутом объеме, в атмосфере инертного газа, путем выдержки графита в парах сульфида цинка при температуре 1700-1770°С в течение 2-3 часов. Углеродные нанотрубки получают диаметром 10-20 нм. 1 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25�...

Изобретение относится к области изготовления и обработки углеродных наноструктур и предназначено для термохимической активации поверхности углеродных нанотрубок для увеличения их сорбционной емкости. Сущность изобретения: устройство для увеличения сорбционной емкости углеродных нанотрубок состоит из стального корпуса с рабочей камерой, внутри которой установлен цилиндрический графитовый нагревател...

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов из кристаллов полупроводников и может быть использовано в инфракрасной технике. Линзы изготавливают из селенида цинка созданием в монокристаллах селенида цинка плотности дислокации ≤5×105 см-2 и последующим разделением монокристаллов по плоскости спайности путем разрыва в направлении, находящемся под углом 89-91 град...

Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр, состоящий из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия, обеспечивает однородное ослабление излучения с длинами волн 2,5-15 мкм. Коэффициент ослабления можно регулиро...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. Оптический фильтр с активным элементом из слоя наночастиц теллурида цинка-кадмия Cd1-xZnxTe (0≤х<1) с размером наночастиц в слое 5-10 нм при толщине слоя 30-50 нм, причем слой выращен на поверхности пасс...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях. Сущность изобретения: в способе получения наностержней из селенида кадмия путем испарения расплава и осаждения паров на холодной подложке процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут. Способ позволяет получать наностержни CdSe диаметром 5-15...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками. Периодичность остановок находится в диапазоне...

Изобретение относится к термометрии и предназначено для определения температуры химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ, например соединений типа А2B6. В датчике температуры расплава, состоящем из чехла, термоэлектродов и фиксирующего их в чехле наполнителя, чехол выполнен из графита, а в качестве наполнителя использован спеченный тонкодисперсный порошок оксида алюминия. Технический...

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для получения материалов-аккумуляторов автономных систем хранения водорода. Углеродные нанотрубки получают электродуговым способом в атмосфере аргона с применением полого графитового анода, содержащего наполнитель, которым служит сульфид цинка. Полученные углеродные нанотрубки содержат 0,04-0,06 мас.% цинка.

Изобретение относится к нанотехнологиям полупроводников. Предлагается композиционный материал на основе нанокристаллов сульфида цинка и углеродных нанотрубок, в котором матрицей служат нанокристаллы сульфида цинка, а армирующим наполнителем являются углеродные нанотрубки, причем углеродные нанотрубки находятся внутри нанокристаллов, проходя непосредственно через их объем. Такой композит можно пр...

Изобретение относится к области обработки наноструктур. Сущность изобретения: в способе заполнения водородом углеродных нанотрубок, прошедших термохимическую активацию в парах сульфида цинка, заполнение проводят при температуре 25°С в течение 24 часов под давлением водорода 78-80 атм. Техническим результатом изобретения является увеличение количества водорода, запасаемого в нанотрубках. 1 табл....

Нейтральные светофильтры применяются в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр состоит из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия. При этом указанный светофильтр снабжен оправкой, имеющей канал для теплоносителя. Технический результат: однородное ослабление излучения с длинами вол...

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм. Получение нанопорошка селе...

Изобретение относится к области получения наноалмазов, представляющих интерес для использования в послеоперационной поддерживающей терапии. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированных пластинах кремния при давлении 50-100 Торр и температуре 1050-1150°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через 2 параллельные пластины из конструкци...

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12, выполненных в виде колец. Электроды 7 и 8 электроизолированы от штоков 8 и 9. На катоде 1 установлены с...

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением аргона 95-105 атм со скоростью движения зоны 9,5-10,3 мм/час. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы...

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2, являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15-19 мин-1. Способ позволяет получать кристаллы, прозрачные в ви...

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Из...

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые вставки 3, 7, при этом загрузка 5 помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля 4, а гра...