Гартман Валентина Кирилловна (RU)
Изобретатель Гартман Валентина Кирилловна (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения объемного теллурида кадмия прессованием
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений.Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°...
2278186Способ химического травления теллурида кадмия
Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из э...
2279154Способ получения нанопорошка туллурида цинка-кадмия с составом cd0,9zn0,1te
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Сущность изобретения: получение нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te, температура источника испарения составляе...
2307785Способ изготовления оптического фильтра
Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона. Способ изготовления оптического фильтра рассеяния осуществляют прессованием порошка, при этом прессованию подвергается нанопорошок теллурида кадмия с размером зерна 10-15 нм при температуре от +18 до +25°С при давлении прессования 700-750 МПа. Технический результат заключается в создании...
2308061Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25...
2318928Устройство для увеличения сорбционной емкости углеродных нанотрубок
Изобретение относится к области изготовления и обработки углеродных наноструктур и предназначено для термохимической активации поверхности углеродных нанотрубок для увеличения их сорбционной емкости. Сущность изобретения: устройство для увеличения сорбционной емкости углеродных нанотрубок состоит из стального корпуса с рабочей камерой, внутри которой установлен цилиндрический графитовый нагревател...
2321536Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка
Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSe1-xTex (х=0,02-0,03), обладающего люминесценцией в диапазоне длин волн 600-640 нм. Получение нанопорошка селе...
2415805Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр г...
2601335