Олихов Игорь Михайлович (RU)

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к мощным и сверхмощным пролетным клистронам преимущественно для сверхэнергетичных линейных ускорителей. Клистрон с периодической электростатической фокусировкой электронного потока содержит вакуумную оболочку, в которой размещены расположенные вдоль оси клистрона электронная пушка, объемные резонаторы и коллектор, а также диафрагмы линз периодической э...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к импульсным высокочастотным (ВЧ) излучателям электронов, выполненным на основе линейных высокочастотных ускорителей электронов, и может быть использовано в аппаратах для радиационной технологии. Излучатель электронов содержит размещенные соосно вакуумированный полуволновой коаксиальный резонатор, тетродную пушку с радиальным анодом, элемент...

Изобретение относится к рентгенотехнике, в частности к рентгеновским излучателям, и может быть использовано в высокоэнергетичных промышленных рентгеновских аппаратах, а также в просмотровых таможенных комплексах. Рентгеновский излучатель содержит размещенные соосно вакуумированный полуволновой коаксиальный резонатор, тетродную пушку с радиальным анодом, элемент связи генератора с резонатором в вид...

Изобретение относится к электронной и ускорительной технике, в частности к импульсным высокочастотным (ВЧ) ускорителям заряженных частиц, например электронов или ионов, может быть использовано в качестве резонаторного ускоряющего устройства для сверхэнергетичного ускорителя заряженных частиц, например циклического типа. Ускоритель заряженных частиц содержит размещенные в полости четвертьволнового...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к излучателям СВЧ-энергии, выполненным на основе электровакуумных СВЧ-приборов, и может быть использовано в системах дальней связи, включая сверхдальнюю космическую связь. В первом варианте изобретения излучатель СВЧ-энергии содержит расположенные соосно четвертьволновой коаксиальный резонатор, СВЧ-тетрод, включающий электронную пушку и ради...

Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком включает гетероструктуру, выполненную на основе полупроводниковых соединений, выбранных из одной из полупроводниковых групп А2В6 или А3В5. Активная полупроводниковая структура размещена между верхним и нижним ограничивающими полупроводниковыми слоями, образующими в совокупности с активной структурой оптический вол...