Гальцев Вячеслав Петрович (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники. Технический результат - улучшение электрических параметров с повышением устойчивости к импульсным перегрузкам по токам. Сущность изобретения: в полупроводниковой структуре, содержащей подложку, полупроводниковый материал с обедненной областью в центральной части структуры, охваченной обедненной областью в периферийной част...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса, и...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена в...