Хишко Ольга Владимировна (RU)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний. Сущность изобретения: способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний - золото...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса...

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др. Оно может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусы силовых полупроводниковых приборов путем пайки различными припоями. Сущность изобретения - система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности для пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов. Припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: олово 87,0-89,0; висмут 9,0-11,0; сурьма 0,8-1,2. Припой обладает хорошими технологическими свойствами, в частности, он имеет высокий коэффициент теплопроводности и хорошую смачивае...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики Al-Zn включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соотве...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена в...