PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Сулакшин А.С.

Изобретатель Сулакшин А.С. является автором следующих патентов:

Прибор м-типа

Прибор м-типа

 Прибор М-типа по авт. св. N 716430, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД при обеспечении высокой выходной мощности и долговечности, между электронной пушкой и резонаторной системой установлен прозрачный для электронов электрод.

1131382

Релятивисткий магнетронный генератор

Релятивисткий магнетронный генератор

 Использование в технике СВЧ, для генерации сверхмощных (10 + 10 Вт) СВЧ-импульсов наносекундной длительности в импульсно-периодическом режиме. Сущность изобретения в устройстве торцевые экраны многорезонаторной анодной системы выполнены в виде кольцевых радиально-намагниченных постоянных магнитов, а на наружном диаметре ее расположен дополнительный аксиально-намагниченный кольцевой магнит...

2039392

Способ обработки изделий из металлов и их сплавов

Способ обработки изделий из металлов и их сплавов

 Использование изобретения: обработка поверхности изделий из металлов и сплавов концентрированными потоками энергии с целью улучшения их эксплуатационных характеристик. Сущность изобретения: изделие облучают импульсным электромагнитным излучением СВЧ диапазона с плотностью потока мощности на абзаце 103 Вт/см2 и более. Под СВЧ диапазоном понимают электромагнитные колебания с частотами от 30...

2078149

Способ обработки радиоактивных отходов

Способ обработки радиоактивных отходов

 Использование: обработка радиоактивно зараженных материалов. Сущность изобретения: для снижения периода полураспада радиоактивных долгоживущих изотопов отходы облучают СВЧ-излучением с плотностью потока энергии более 510-3 Дж/см2. Достигаемый результат: постоянная распада после обработки отходов СВЧ-излучением указанной плотности потока энергии увеличилась на величину около 1% по сравнени...

2100858

Способ функционального поражения полупроводниковых радиоэлектронных средств

Способ функционального поражения полупроводниковых радиоэлектронных средств

 Способ функционального поражения полупроводниковых радиоэлектронных средств, по которому объект облучают потоком мощного СВЧ-излучения частотой f1, до и во время облучения зондируют объект СВЧ-сигналом частотой f0 такой, что f1 2f0, 4f0, 6f0, плавно повышают плотность потока мощности СВЧ-излучения частотой f1, непрерывно регистрируют отклики от зондирующего СВЧ-сигнала на частотах 2f0, 4...

2154839