Темош Иван Иванович (RU)

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика). Способ осуществляется следующим образом. Триалкоксисилан получен этерификацией хлорсиланов с водородной связью органич...