Долгов Алексей Николаевич (RU)
Изобретатель Долгов Алексей Николаевич (RU) является автором следующих патентов:
![Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0b90d61aa8bc3d3d3ae6fdb26e5bf62b.jpg)
Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости на...
2279733![Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов
Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки. Лодочка состоит из четырех параллельных кварцевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой определенным образом, где два стержня расположены выше по отношению к двум другим стержням, причем горизо...
2280916![Бикмоп-прибор и способ его изготовления Бикмоп-прибор и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e4fda52ace2adc73717f78c7a4d352ce.jpg)
Бикмоп-прибор и способ его изготовления
Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом...
2282268![Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2fdc1ad70c106044052f8d5088c79ecb.jpg)
Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристалличес...
2297692![Дозатор гомогенной парогазовой смеси Дозатор гомогенной парогазовой смеси](/img/empty.gif)
Дозатор гомогенной парогазовой смеси
Изобретение относится к средствам для образования паровой и парогазовой смеси, используемой при высокотемпературной обработке изделий в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение направлено на повышение надежности и качества дозатора, что обеспечивается за счет того, что дозатор гомогенной парогазовой смеси содержит резервуар с реагентом, нагреватель, размещенный во в...
2314499