PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Долгов Алексей Николаевич (RU)

Изобретатель Долгов Алексей Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления

Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости на...

2279733

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки. Лодочка состоит из четырех параллельных кварцевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой определенным образом, где два стержня расположены выше по отношению к двум другим стержням, причем горизо...

2280916

Бикмоп-прибор и способ его изготовления

Бикмоп-прибор и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом...

2282268

Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов

Способ формирования затворных областей кмоп-транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристалличес...

2297692

Дозатор гомогенной парогазовой смеси

Дозатор гомогенной парогазовой смеси

Изобретение относится к средствам для образования паровой и парогазовой смеси, используемой при высокотемпературной обработке изделий в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение направлено на повышение надежности и качества дозатора, что обеспечивается за счет того, что дозатор гомогенной парогазовой смеси содержит резервуар с реагентом, нагреватель, размещенный во в...

2314499