Тригуб В.Б.

 Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для получения пленки карбида в плазму ВЧ газового разряда вводят SiO2 и углеводородное соединение, размещают подложки в зоне конденсации паров SiC. Для повышения воспроизводимости относительного содержания SiC в пленке в плазму дополнительно вводят пары воды с расходом их по массе 10 - 30% от рас...