Максутова Сания Абдрашитовна (RU)

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и увеличенной энергией лавинного пробоя. Техническим результатом изобретения является увеличение энергии лавинного пробоя высоковольтных импульсных ограничителе...

Изобретение относится к технологии мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов на каждом i-том резистивном элементе изготавливаемой партии резисторов до облучения измеряется величина изменения сопротивления, после этого партия резисторов делится на к групп с заданным интервалом величины изменения сопротивления...

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано при разработке высоковольтных полупроводниковых резисторов с заданной зависимостью их сопротивления от приложенного напряжения. Техническим результатом изобретения является разработка конструкции резистивных элементов высоковольтных полупроводниковых резисторов, у которых относительное изменение величины сопротив...