Ракитин В.В.

 (19)SU(11)611581(13)A1(51)  МПК 5    G11C11/34(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) ЭВМ и устройств цифровой автоматики. Известны интегральные матрицы ЗУ, ячейки к...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к запоминающим устройствам. В элемент памяти, содержащий тиристор, нагрузочный резистор и полевой транзистор записи, введены два транзистора считывания. Ассоциативный элемент памяти позволяет реализовать выборку информации по заданному признаку при уменьшении количества элементов в 2 раза. 1 ил. Изобретение относится к области микроэлектр...

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании трехмерных матриц. Сущность: способ включает конформное нанесение на матрицу проводящего слоя такой толщины, что меньшие промежутки между столбами полностью смыкаются. При этом столбы формируют с утолщением у основания таким образом, что промежутки у основания столбов по второму направлению мень...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания интегральных динамических оперативных запоминающих устройств (ДОЗУ) с произвольной выборкой. Целью изобретения является повышение степени интеграции ДОЗУ. Сущность изобретения: в элементе ДОЗУ, содержащем полупроводниковую подложку с первой и второй областями 2 и 3 противоположного подложке типа проводим...

 Использование: в электронной технике, при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП интегральных схем со взаимоперпендикулярным направлением затворов комплементарных транзисторов, размещенных в окнах в маскирующем слое на поверхности пластины, включающем нанесение, удаление и мод...

 Использование:изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Сущность изобретения: предлагается в конструкции интегральных схем на полупроводниковой подложке, частично покрытой маскирующим слоем, последний выполнять в виде локальных областей, отделенных друг от д...

 Использование: полупроводниковая микроэлектроника и наноэлектроника, для создания интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов. Сущность изобретения: в известной конструкции двухзатворной МДП-структуры с вертикальным каналом, содержащей подложку определенного типа проводимости со столбик...

 Использование: полупроводниковая микроэлектроника и наноэлектроника, при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Сущность изобретения: предлагается в известной конструкции биполярного транзистора, содержащей полупроводниковую подложку, в которой сформированы высоколегированные области коллектора и эмиттера и высоколегированные пассивные базовые област...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранения информации, особенно в портативных устройствах, когда требуются компактность, высокая плотность и большой объем информации. Запоминающее устройство с электрическим зондовым считыванием содержит запоминающую среду, покрывающую полупроводниковую подложку и содержащую локальные запоминающие област...