Ташилов Аслан Султанович (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов, предназначенных для работы особенно в миллиметровом СВЧ диапазоне, таких как мощные генераторные лавинно-пролетные диоды, диоды Ганна и др. Сущность способа заключается в том, что после утоньшения со стороны подложки полупроводниковой пластины, содержащей активную структуру, и нанесения с обеих с...