ОХНО Риоити (JP)
Изобретатель ОХНО Риоити (JP) является автором следующих патентов:
Полупроводниковый элемент-детектор излучения
Использование: в области ядерной медицины, радиационной диагностике, в атомной энергетике, астрономии, физике космических лучей и т.д. Технический результат изобретения: исключение «поляризационного эффекта» за счет использования улучшенной конфигурации электрода. Сущность: полупроводниковый элемент-детектор излучения с барьером Шоттки включает кристалл полупроводникового соединения, содержащего в...
2281531