Афанасьев Петр Валентинович (RU)

Изобретения относятся к конструкции и технологии изготовления полупроводниковых систем дозиметрического измерения оптического излучения (ОИ) в широком и ограниченном диапазонах длин волн. Сущность: датчик ОИ выполнен в виде сэндвич-структуры слоев сегнетоэлектрика и полупроводника. Сегнетоэлектрическая пленка сэндвич-структуры выполнена из поляризованного нелегированного материала, а полупроводник...

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии. Техническим результатом является повышение точности и надежности работы. Устройство содержит расположенную на подложке пленку на основе поляризованного сегнетоэлектрика - цирконата-титаната свинца с двухсторонним элек...

Изобретения относятся к микроэлектронике и могут быть использованы в технологии конструирования полупроводниковых датчиков (ППД) ультрафиолетового излучения (УФИ). ППД УФИ содержит подложку, на которой последовательно расположены монтажный слой, выполненный из TiN, и фоточувствительный слой AlN, и электродную систему, включающую платиновый полупрозрачный в С-области УФИ выпрямляющий электрод, сое...

Изобретение может быть использовано для определения качественного и количественного состава смесей газов. Датчик датчика газового анализа (ГА) согласно изобретению содержит подложку, полупроводниковую пленку, имеющую возможность контакта с газовой атмосферой, на поверхности которой расположены первый и второй электроды, а на поверхности подложки расположен третий электрод, с возможностью его подк...