Афанасьев Валентин Петрович (RU)

Изобретения относятся к конструкции и технологии изготовления полупроводниковых систем дозиметрического измерения оптического излучения (ОИ) в широком и ограниченном диапазонах длин волн. Сущность: датчик ОИ выполнен в виде сэндвич-структуры слоев сегнетоэлектрика и полупроводника. Сегнетоэлектрическая пленка сэндвич-структуры выполнена из поляризованного нелегированного материала, а полупроводник...

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии. Техническим результатом является повышение точности и надежности работы. Устройство содержит расположенную на подложке пленку на основе поляризованного сегнетоэлектрика - цирконата-титаната свинца с двухсторонним элек...

Изобретение относится к композициям на основе титаната висмута, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для усовершенствования перепрограммируемых запоминающих устройств, а также в акусто- и оптоэлектронике для модернизации радиотехнических конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей и фильтров, гидроакустических устройст...

Изобретения относятся к микроэлектронике и могут быть использованы в технологии конструирования полупроводниковых датчиков (ППД) ультрафиолетового излучения (УФИ). ППД УФИ содержит подложку, на которой последовательно расположены монтажный слой, выполненный из TiN, и фоточувствительный слой AlN, и электродную систему, включающую платиновый полупрозрачный в С-области УФИ выпрямляющий электрод, сое...

Изобретение может быть использовано для определения качественного и количественного состава смесей газов. Датчик датчика газового анализа (ГА) согласно изобретению содержит подложку, полупроводниковую пленку, имеющую возможность контакта с газовой атмосферой, на поверхности которой расположены первый и второй электроды, а на поверхности подложки расположен третий электрод, с возможностью его подк...

Изобретение относится к способу получения нанокомпозитного материала для термо- и хемостойких покрытий и планарных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью. Предложен способ, в котором в качестве полимерного связующего используют поли(о-гидроксиамид) - продукт поликонденсации 3,3'-дигидрокси-4,4'-диамино-дифенилметана и дихлорида изофталевой кислоты в амидном растворителе, в качестве наполн...

Изобретение относится к электротехнике и электронике, а именно к технологии изготовления пьезоэлементов из электрофизической керамики. Способ нагрева заготовки пьезоэлемента включает размещение предварительно сформованной и обожженной заготовки пьезоэлемента из керамики в форме, изготовленной из диэлектрика с высоким значением тангенса угла диэлектрических потерь, и последующий нагрев размещенно...

Тонкопленочный солнечный элемент содержит светопрозрачную подложку (1), на которую последовательно нанесены светопрозрачная электропроводящая пленка (2), p-слой (3) из микрокристаллического гидрогенизированного кремния в виде твердого раствора SixC1-x:H, где 0,7<х<0,95, с оптической шириной запрещенной зоны более 2 эВ, i-слой (4) из аморфного гидрогенизированного кремния, n-слой (5) из гид...

Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала титаната бария-стронция предназначен для получения сегнетоэлектрических материалов и может быть использован в области радиоэлектронной промышленности, например, в качестве конденсаторов малых линейных размеров. Шихта для получения сегнетоэлектрического материала состава Ba0,8Sr0,2TiO3 включает нитрат бария, нанокристаллический диокс...