PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Афанасьев Алексей Валентинович (RU)

Изобретатель Афанасьев Алексей Валентинович (RU) является автором следующих патентов:

Гигиенический кулек для туалета

Гигиенический кулек для туалета

Изобретение относится к потребительским абсорбирующим бумажным изделиям, которые включают туалетную бумагу. Абсорбирующее бумажное изделие предназначено для размещения в унитазе и выполнено в виде конусовидного полого куля, к основанию которого прикреплен по меньшей мере один язычок. Основание куля и язычок имеют крылышки. Конус куля расположен в стоке сливного отверстия унитаза, а язычок и крылыш...

2283018

Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения

Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения

Изобретение относится к микроэлектронной измерительной технике и может быть использовано в конструкции и технологии производства полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения: повышение чувствительности к УФИ и упрощение конструкции датчика. Сущность: датчик содержит подложку, включающую монокристаллический и пористый слои карбида кремния, электрои...

2292609

Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием

Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием

Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой 3С-SiC...

2395867

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками. В способе получения полупроводникового карбидокремниевого элемента, включающем введение ионов фосфора в SiC подложку путем ионной имплантации и дальнейшее формирование на ней слоя SiO2, имплан...

2613013