Федоров М.И.

  до 1 f яоо Класс 42r, 1ог 12е, 41 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М. И. Федоров РЕГУЛЯТОР РАСХОДА ЖИДКОСТИ Заявлено 5 июля 1956 т. за X 554780 в 1 омитет ио делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР Для придания запаха бытовому газу, транспортируемому по газопроводу на далекие расстояния, например Саратов — Москва, в газ добавляют жидкост...

 СПОСОБ ПРОКАТКИ НЕПРЕРЫВНО ОТЛИВАЕМОЙ ЗАГОТОВКИ, включающий периодическое перемещение заготовки на расстояние, равное шагу ее вытягивания из кристаллизатора, обжатие заготовки в шаговом режиме в профилированных по окружности бочки валках, имеющих рабочий и холостой участки разного диаметра, отличающийся тем, что, с целью уменьшения установочной мощности привода валков и упрощения реализац...

 54,56 : 58,60-дииндий (III) дихлор-6,11 : 19,24 : 32,37 : 45,50-тетраимино-5,52 : 13,18 : 20,31 : 39,44-тетранитрилооктабензо/с,д,е,р,и,у,D, H/(1,10,19,28)-тетраазациклогексатриаконтин формулы как полупроводник.

 Способ получения бис(алюминийфталоцианин)фталоцианина путем взаимодействия динатрийфталоцианина с хлоралюминийфталоцианином в молярном соотношении 2 : 1, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода и улучшения качества целевого продукта, реакцию ведут в газовой фазе в глубоком вакууме при температуре возгонки 480 - 490oС с последующим выделением продукта осаждением на подложку.

 Способ изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей, включающий нанесение фоточувствительного слоя на подложку с электродом, легирование его кислородом воздуха и нанесение верхнего электрода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности переключения фотоэлектрического преобразователя, в качестве фоточувствительного слоя используют полимерный комплекс нафталина...

 Бис(индийфталоцианин)-фталоцианина формулы в качестве материала двухслойного солнечного элемента.

 Хлоргаллий-(4', 4'', 4''', 4''''-тетрахлор)-фталоцианин формулы в качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов.

 Фотопреобразователь, содержащий прозрачную стеклянную подложку, полупрозрачный тонкопленочный металлический электрод, фоточувствительный слой и второй тонкопленочный металлический электрод из А1, отличающийся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности на длине волны падающего света = 550 нм, фоточувствительный слой изготовлен из линейного хинакридона -модификации.

 Хлоралюминий-3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин формулы в качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.

 Хлориндийтетрабензодиазапорфин формулы в качестве органического полупроводникового материала для селективного фотоэлектрического преобразователя.

 Использование: изобретение относится к электронике, в частности к устройствам, чувствительным к свету и преобразующим световую энергию в электрическую. Сущность: фоточувствительный элемент содержит ряд фоточувствительных слоев с электродами, планарно расположенных на подложке с общим электродом к фоточувствительным слоям. Фоточувствительные слои выполнены соответственно из хлориндийфталоц...

 Использование: при изготовлении термоэлектрических генераторов. Сущность изобретения: способ позволяет повысить качество ветвей термоэлементов вследствие уменьшения величины переходного сопротивления между термоэлектрическим материалом и элементами коммутации. Для этого предварительно в вакуумпроводную трубу помещают элементы коммутации, и одновременно с заполнением ее расплавленным термо...

  Использование: в оптоэлектронике, в частности в устройствах, преобразующих лучистую энергию в электрическую, в приборах для измерения освещенности, интенсивности излучения, дозы ультрафиолетового облучения, и в качестве датчиков для определения концентрации озона в атмосферном слое Земли. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из неорганического полупроводника о...

 Использование: в полупроводниковой электронике, в частности оптоэлектронике и фотоэнергетике, для изготовления недорогих и простых в изготовлении преобразователей световой энергии (солнечных элементов) и индикаторов светового излучения. Сущность изобретения: на подложку из неорганического полупроводника n-типа арсенида галлия (GaAs) наносится вакуумным напылением тонкий слой органического...

 Использование: способ предназначен для изготовления тонкопленочного датчика для анализа аммиака. Сущность изобретения: на подложку с электродами наносят газочувствительный слой из фталоцианина меди, проводят технохимическую активацию и прогрев этого слоя. В качестве газочувствительного слоя используют химически очищенный фталоцианин меди, легированный кислородом воздуха толщиной не более...

 Изобретение относится к области исследования смазочных масел и может найти применение в отраслях промышленности, занимающихся складированием и хранением нефтепродуктов, в частности минеральных смазочных масел при оценке их испаряемости. Цель изобретения - повышение достоверности оценки испаряемости минеральных смазочных масел путем увеличения количества испарившегося масла при нагревании...

 Использование: измерение дозы ультрафиолетового излучения в медицине, измерение интенсивности ультрафиолетового излучения Солнца в научных исследованиях, в экологии, а также для определения интенсивности светового излучения в лабораторных и производственных условиях. Сущность изобретения: измеритель состоит из фотоприемника на основе гетероперехода арсенид галлия - фталоцианин меди и реги...

 Изобретение относится к устройствам для измерения концентрации газов, в частности аммиака, и может быть использовано в сельском хозяйстве, в научных и экологических исследованиях. Технический результат - получение линейного характера зависимости выходного сигнала преобразующей части устройства от концентрации аммиака, отображение информации о концентрации аммиака в цифровом виде, снижение...

 Изобретение предназначено для использования в исследованиях смазочных масел в нефтеперерабатывающей и других отраслях промышленности при прогнозировании сроков хранения моторных масел. В качестве информативных показателей используют щелочное число и кинематическую вязкость. Центрифугирование осуществляют в течение 80,5 ч с фактором разделения 20000100 единиц, после чего осуществляют отбор...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к устройствам, преобразующим лучистую энергию в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой электронике, в частности оптоэлектронике, и в медицинских технологиях при облучении УФ в физиокабинетах, на предприятиях АПК при облучении животных, в экологии при измерении низких интенсивностей излучения от экранов телевизоров...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой сенсорной технике и может быть использовано для изготовления недорогих и простых в изготовлении датчиков для определения концентрации аммиака в газовой среде. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности тонкопленочного датчика для анализа аммиака в газовой среде и сокращении расхода материала, использу...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике и фотоэнергетике, и может быть применено в качестве поляриметрических фотодетекторов. Сущность: способ включает освещение поверхности фотоприемника на основе арсенида галлия и органических полупроводников, при этом освещение производят линейно поляризованным белым светом под углом 70-80o к его поверхности...