Корнейчук С.К.

  Использование: в оптоэлектронике, в частности в устройствах, преобразующих лучистую энергию в электрическую, в приборах для измерения освещенности, интенсивности излучения, дозы ультрафиолетового облучения, и в качестве датчиков для определения концентрации озона в атмосферном слое Земли. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из неорганического полупроводника о...

 Использование: в полупроводниковой электронике, в частности оптоэлектронике и фотоэнергетике, для изготовления недорогих и простых в изготовлении преобразователей световой энергии (солнечных элементов) и индикаторов светового излучения. Сущность изобретения: на подложку из неорганического полупроводника n-типа арсенида галлия (GaAs) наносится вакуумным напылением тонкий слой органического...

 Использование: способ предназначен для изготовления тонкопленочного датчика для анализа аммиака. Сущность изобретения: на подложку с электродами наносят газочувствительный слой из фталоцианина меди, проводят технохимическую активацию и прогрев этого слоя. В качестве газочувствительного слоя используют химически очищенный фталоцианин меди, легированный кислородом воздуха толщиной не более...

 Использование: измерение дозы ультрафиолетового излучения в медицине, измерение интенсивности ультрафиолетового излучения Солнца в научных исследованиях, в экологии, а также для определения интенсивности светового излучения в лабораторных и производственных условиях. Сущность изобретения: измеритель состоит из фотоприемника на основе гетероперехода арсенид галлия - фталоцианин меди и реги...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике и фотоэнергетике, и может быть применено в качестве поляриметрических фотодетекторов. Сущность: способ включает освещение поверхности фотоприемника на основе арсенида галлия и органических полупроводников, при этом освещение производят линейно поляризованным белым светом под углом 70-80o к его поверхности...