Левин М.Н.

  + 737343 Класс 72I, 24 721, 25 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕЙИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ l7OC)flILCHOЯ . 1!1!>I>7(> ЛФ 4,1 В. В. Краснушкин, М. Н. Левин и Н, И Смыслов КОМБИ НИ РОВАН Н Ый КОНТАКТНО-BA717 EH Н Ый СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕРНОЙ КИСЛОТЫ Занвл(но 15 с(н-.ябрн 1959 г. за _#_«638784/23 н К»мvTCT но дела > нвобос (»»ii .открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюлс>ете...

  Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подго...

  Изобретение относится к мифоэлектронике и может быть использовано при изготовлении КМОП больших интегральных схем. Цель - упрощение способа изготовления интегральных схем за счет исключения длительных выскотемпературных операций для формирования областей изоляции, улучшения-электрических параметров и надежности интегральных схем за счет исключения утечек тока по поверхности подло...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах. Целью изобретения является уменьшение разброса параметров МДП - БИС и увеличение процента выхода годных. Способ включает формирование МДП - структуры БИС и радиационную подгонку их пороговых напряжений. Последняя операция осуществляется путем облучения пластины со струк...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Цель - увеличение процента выхода годных транзисторов путем локации обработки рентгеновским излучением. Способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесение металлической разводки и подгонку порогового напряжени...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uo в способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облу...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС. Цель изобретения улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процентов выхода годных МДП БИС. На кремниевых подложках формируют полевой окисел толщиной 1,0 мкм. Формируют области истока и стока, слой подзатворного диэлектрика то...

 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при градуировке и поверке электромагнитных жидкостных расходомеров в составе циркуляционных контуров. Целью изобретения является упрощение процесса градуировки и поверки расходомеров. При установившемся режиме течения жидкости в контуре, создаваемом насосом, измеряют выходной сигнал расходомера и перепад давлений на н...

  Применение: полупроводниковая технология, более конкретно изготовление МДП-микросхем. Сущность: на полупроводниковой подложке формируют МДП-структуры. Затем проводят подложку порогового напряжения структур путем их облучения рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом. Цикл облучения отжиг повторяют не менее двух раз. Это позволяет примерно в три раза расширить диа...

 Применение: полупроводниковая технология, изготовление ИС, в частности КМОП ИС. Сущность: МДП БИС, изготовление по обычной технологии, облучают рентгеновским ультрафиолетовым излучением для подгонки порогового напряжения. Разные группы МДП-структур (например, n- и p-канальные транзисторы в КМОПИС, требуют в общем случае равной величины подгонки V и V2. Используется то обстоятельство, что...

 Измеритель температуры относится к технике измерения высоких температур и может быть использован в металлургической промышленности, энергетике, химической промышленности и других отраслях. Измеритель температуры состоит из чувствительного элемента в виде анода и управляющего электрода, расположенных в вакууме, а также из блока питания и схемы отображения информации. Чувствительный элемент...

 Изобретение относится к температурным измерениям и может быть использовано в теплотехнике, атомной энергетике, химической промышленности, а также в различных технологических процессах и установках, использующих теплоноситель в жидкой фазе. Способ определения погрешности измерения температуры на объекте включает контроль показаний датчика температуры, который установлен на объекте с теплон...

 Изобретение может быть использовано в высокотемпературных энергетических установках с жидкометаллическим теплоносителем. Расходомер содержит расположенный между полюсами электромагнита переменного тока канал в виде металлического трубопровода с двумя электродами, закрепленными на его диаметрально противоположных сторонах и выполненными из разнородных термоэлектродных материалов для образо...