Кармоков Ахмед Мацович (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является снижение токов утечки в полупроводниковых приборах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора на поверхности изолирующей подложки до...

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение механических напряжений в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой структуры включает формирование на полупроводниковой подложк...

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечки полупроводниковых приборов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность: способ изготовления полупроводниковой структуры включает формирование на полупроводниковой подложке изолирующего диэлектрик...