Чистякова Т.Г.

 (19)SU(11)1228720(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рель...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных преобразователей механических величин, в частности ускорения. Целью изобретения является повышение чувствительности преобразователя и увеличение выхода годных. Способ изготовления преобразователя включает изготовление верхних и нижних плат из стекла с металлизированными обкладками и це...

 Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, например датчиков механических параметров. Сущность изобретения: при формировании фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины наносят позитивный фоторезист, экспонируют через фотошаблон, проявляют и термообрабатывают фоторезист, перед нане...

 Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др. Технический результат изобретения - повышение чувствительности, упрощение сборки узла чувствительного элемента совместно с его герметизацией и обеспечение контроля герметичности узла при сборке и эксплуатации. Сущность...