PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Темнов Александр Михайлович (RU)

Изобретатель Темнов Александр Михайлович (RU) является автором следующих патентов:

Зонд для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем

Зонд для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем

3онд содержит коаксиальный разъем, коаксиальную линию передачи, воздушную копланарную линию передачи из плоских упругих проводников. Проводники воздушной копланарной линии передачи имеют выступы для контактирования с контактными площадками планарных элементов интегральных схем. На торцах проводников коаксиальной линии передачи выполнены прорези. В этих прорезях токопроводящим клеем закреплены пров...

2285930

Многоконтактный зонд для испытания планарных элементов интегральных схем

Многоконтактный зонд для испытания планарных элементов интегральных схем

Предложенное изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам для испытания планарных элементов интегральных схем на полупроводниковых пластинах. Техническим результатом изобретения является повышение прочности и долговечности многоконтактного зонда для испытания планарных элементов интегральных схем и возможность восстановления его работоспособности. Многоконтактный зонд для ис...

2293339

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления по мощности и, следовательно, повышение коэффициента полезного действия СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки. Это достигается тем, что в мощном СВЧ полевом транзисторе с барьером Шотки на полуизолирующей подложке арсенида галлия с активным слоем n-типа...

2307424

Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки

Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки, выполненный на полуизолирующей подложке полупроводникового материала группы АIIIBV с активным слоем, включает изготовление по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока, канала между ними с канавкой, в которой выполнен электрод затвора типа барьер Шотки, смеще...

2361319

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки

Изобретение относится к электронной технике. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным слоем, гребенку из чередующейся, по меньшей мере, более одной последовательности единичных электродов истока, затвора, стока. Между парами единичных электродов исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия, а в парах единичных э...

2393589


Электронный прибор свч

Электронный прибор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к монолитным интегральным схемам СВЧ, и может быть использовано в твердотельных модулях СВЧ различного функционального назначения. Сущность изобретения: в электронном приборе СВЧ, предназначенном для поверхностного монтажа, содержащем, по меньшей мере, один электронный компонент с выводами, монтажные площадки и металлизированные переходные отв...

2442241

Интегральная схема свч

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение надежности и уменьшение массогабаритных характеристик. Достигается тем, что в интегральной схеме СВЧ, со...

2474921

Интегральная схема свч

Интегральная схема свч

Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрич...

2556271

Способ изготовления интегральной схемы свч

Способ изготовления интегральной схемы свч

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи, выводов, элементов заземления, предварительно изготавливают слой кристаллического полуизолирующего кремния с...

2557317

Интегральная схема свч

Интегральная схема свч

Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполне...

2654970


Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки

Заявлен приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, содержащий, по меньшей мере, четыре одноканальных модуля, каждый из которых содержит последовательно соединенные защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, выходной усилитель мощности передающего канала, два переключателя прием/передача, двунаправленный фазовращатель, схему управления, элементы электрической...

2657336