Красник Валерий Анатольевич (RU)
Изобретатель Красник Валерий Анатольевич (RU) является автором следующих патентов:
![Способ изготовления мощных транзисторов свч Способ изготовления мощных транзисторов свч](/img/empty.gif)
Способ изготовления мощных транзисторов свч
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов, напылении металлов, нанесении и травлении диэлектриков, гальванического осаждения золота, формировании канавок н...
2285976![Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины](https://img.patentdb.ru/i/200x200/50151475777e5a95c712cca8871e9591.jpg)
Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры пары электродов транзистора, образующих омические контакты, посредством метода литографии, травления и п...
2390875![Способ изготовления мощных транзисторов свч Способ изготовления мощных транзисторов свч](https://img.patentdb.ru/i/200x200/137fd5d70b6a666cc1609ce9e269d065.jpg)
Способ изготовления мощных транзисторов свч
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и травления диэлектриков, гальванического осаждения золота, формирование на лицевой стороне подложки вне тополо...
2463683![Способ изготовления мощного транзистора свч Способ изготовления мощного транзистора свч](/img/empty.gif)
Способ изготовления мощного транзистора свч
Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного защитного диэлектрического слоя по всей топологии кристалла транзистора посредством плазмохимического нанесе...
2485621![Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a6881f95ff587631975acc21cb0b74ff.jpg)
Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на подложкодержателе в реакторе системы реактивного ионного травления с обеспечением контактирования слоя арсенида...
2576412