PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Антонова Нина Евгеньевна (RU)

Изобретатель Антонова Нина Евгеньевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов, напылении металлов, нанесении и травлении диэлектриков, гальванического осаждения золота, формировании канавок н...

2285976

Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины

Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры пары электродов транзистора, образующих омические контакты, посредством метода литографии, травления и п...

2390875

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и травления диэлектриков, гальванического осаждения золота, формирование на лицевой стороне подложки вне тополо...

2463683