Андреев Вячеслав Михайлович (RU)

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а кроме того может быть использовано в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Солнечная фотоэлектрическая установка содержит солнечную батарею с линзами Френеля и принимающими излучение фотоэлектрическими преобразователями,...

Изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки и фронтальную панель из силикатного стекла с линзами Френеля на ее тыльной стороне, а также солнечные фотоэлементы с теплоотводящими основаниями. Теплоотводящие ос...

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Солнечный фотоэлектрический модуль содержит фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), первичные и вторичные оптические концентраторы и солнечные фотоэлементы (9) с теплоотводящими элементами (10). Первичные оптические концентраторы выполнены в форме соприкасающихся друг с другом линз, сформированных в виде тыльной повер...

Изобретение предназначено для применения в концентраторных солнечных энергоустановках, используемых в качестве систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Фотоэлектрический модуль содержит фронтальную панель 1 из силикатного стекла с линзовыми концентраторами 2 из силикона на ее внутренней стороне, боковые стенки 3, а также тыльную панель 4, на верхней стороне которой на...

Изобретение может быть использовано для создания узкозонных фотопреобразователей на основе антимонида галлия, которые являются частью каскадных солнечных элементов и термофотопреобразователей, применяемых в системах автономного энергоснабжения. При создании фотоэлектрического преобразователя для решения задачи упрощения технологии наносят на лицевую поверхность подложки (2) n-типа GaSb диэлектри...

Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а также в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Фотоэнергоустановка содержит концентраторные фотоэлектрические модули, размещенные на системе ориентации концентраторных фотоэлектрических модулей на Солнце с устройством ко...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Солнечная фотоэнергосистема включает подсистему слежения за положением Солнца и установленные на подсистеме фотоэлектрические модули. Каждый модуль включает, по меньшей мере,...

Способ включает изготовление негативных линз Френеля с квадратной апертурой методом алмазного точения, соединение их торцами в сборку и изготовление промежуточной панели заливкой между сборкой и силикатным стеклом или гибким листовым материалом двухкомпонентного силикона и последующей его полимеризацией. Промежуточную панель отделяют от сборки, копируют на полиуретановую матрицу путем полимериза...

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к многопереходным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сущность изобретения: многослойный фотопреобразователь содержит последовательно расположенные сплош...

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH3) и источника p-примеси, базы из TMGa и AsH3 и источника p-примеси, эмиттера из TMGa и AsH3 и источника n-примеси, широкозонного окна...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), первичные и вторичные оптические концентраторы и солнечные фотоэлементы (9) с теплоотводящими элементами (10). Первичные оптические концентраторы выполнены в форме соприкасающихся друг с другом линз, сформированных в виде тыльной...

При определении качества фотовольтаического перехода освещают p-n переход монохроматическим светом с длиной волны λ, определяемой соотношением:, мкм, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, эВ; Eg,top - ширина запрещенной зоны полупроводника (z-1)-го p-n перехода в солнечном элементе (z - порядкой номер, отсчитываемый от освещаемой поверхности, p-n перехода, у которого определяют его к...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение как в солнечных электростанциях, так и в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Солнечная фотоэнергетическая установка включает солнечную батарею (1), размещенную на механической системе (2). Солнечная батарея состоит из отдельных одинаковых модулей (3) с панелью (6) гелиоконцентраторов и панелью (7) фо...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, и в частности к фотоэнергетическим установкам, и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а также может быть использовано в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на Солнце содержит платформу, на которой р...

При изготовлении фотопреобразователя на подложке германия n-типа выращивают пассивирующий слой GaAs методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии при быстром охлаждении раствора-расплава. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии р-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в...

При изготовлении фотоэлектрического элемента на основе германия наносят на лицевую поверхность подложки из монокристаллического германия n-типа диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии p-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере в окна поверхностный слой германия. Удаляют на тыльной сторо...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к устройствам, позволяющим имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Имитатор содержит расположенные последовательно на одной оптической оси светодиод, излучающий в диапазоне длин волн 650±20 нм и соединенный световодом с первым светофильтром, поглощающим свет с длиной волны меньше 620 нм, импульсную ксено...

Согласно изобретению каскадный фотопреобразователь содержит эпитаксиальную структуру, тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, а так же антиотражающее покрытие, при этом эпитаксиальная структура включает последовательно выращиваемые методом MOC-гидридной эпитаксии на подложке p-Ge нуклеационный слой n-Ga0,51In0,49P толщиной 170÷180 нм, буферный слой Ga0,99In0,01As т...

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей. Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает облучение участка поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,40-0,55) мкм, направление возникающего в необлученно...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения. Устройство содержит: осветительное устройство, включающее оптическую систему и лампу-вспышку; кон...

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей, в частности солнечных элементов. Установка для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-Р включает лазер (1) с длиной волны излучения 0,40-0,55 мкм, модулятор (2) излучения, линзу (3), платформу (6...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление поверхности структуры фотоэлектрического преобразователя. Затем последовательно напыляют на протравленную п...

Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...