Медведев Андрей Валерьевич (RU)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией. Сущность изобретения: монокристаллы лантангаллиевого силиката, выращенные методом Чохральского из иридиевого тигля, подвергают двухстадийной термообработке. Монокристаллы предварительно подвергают вакуумному отжигу при давлении 1·10-2-1·10-4 Па и температуре 600-1200°С в течение 0,5-10 часов, а...

Изобретение относится к технологии изготовления пьезоэлектрических чувствительных элементов из пьезоэлектрических материалов и может быть использовано при изготовлении датчиков динамического давления для двигателей внутреннего сгорания из синтетических кристаллов галлотанталата лантан La3Ga5,5Ta0,5O14. Сущность: каждый датчик формируют из трех чувствительных элементов идентичной длины. Каждый чув...