Гриценко Владимир Алексеевич (RU)

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными на планарной стороне истоком и...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в н...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и докуме...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и сток...

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для хранения информации при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, причем про...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти. Флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и ст...

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материа...

Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом. На указанном проводящем электроде выполнен активный слой из диэлектрика. Второй проводящий электрод расположен на активном слое. Проводящий электрод, расположенный на рабочей поверхности, и/или второй проводящий электрод выполнены из металла. В...

Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfOx, содержащ...