Саркаров Таджидин Экберович (RU)

Изобретение относится к устройствам для получения металлических лент с аморфной структурой. Устройство содержит индуктор с расположенным в нем плавящимся металлическим стержнем и вращающийся барабан с охлаждаемой поверхностью. Барабан выполнен в виде полого цилиндра с центральной цельнометаллической осью. Внутри барабана установлены термоэлектрические модули различной мощности для получения ленты...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов. Сущность изобретения: в способе получения пленок оксида циркония подложки подвергают обработке гомогенной газовой смесью при мольном соотношении тетрахлорида циркония к кислороду и оксиду азота, соответственно равном 1:1:(3,8-4,2), обработку подложек ведут с предв...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок. Сущность изобретения: способ получения защитных пленок на основе окиси гафния включает формирование на поверхности подложки защитного слоя окиси гафния при температуре 350-400°С из газовой фазы, состоящей из тетрахлорида гафния (HfCl4), кислорода (О2) и окиси азота (NO), при...

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон. Техническим результатом изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса. Сущность изобретения: обработку подложек проводят в жидкостном травителе, состоящем из фт...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности кристаллов p-n переходов на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящего из сме...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения ионов натрия. В способе нанесения стекла для защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешн...

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида. Технический результат заключается в возможности формирования элли...