Мунчаев Анзор Ибрагимович (RU)

Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава в установках горизонтальной направленной кристаллизации. Сущность изобретения: положение фронта кристаллизации осуществляют по изменениям контраста яркости теплового излучения системы расплав-кристалл, проходящего через формирователь...