Раевский Владимир Леонидович (RU)

Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава в установках горизонтальной направленной кристаллизации. Сущность изобретения: положение фронта кристаллизации осуществляют по изменениям контраста яркости теплового излучения системы расплав-кристалл, проходящего через формирователь...

Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов и может быть использовано, например, для выращивания монокристаллов сапфира или граната. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов содержит камеру роста, соединенную с секцией загрузки и приемной секцией, между которыми перемещается контейнер, размещенную внутри камеры роста нагревательную сист...

Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы. Изобретение обеспечивает получение пластин лейкосапфира с содержанием в них активных примесей на уровне 0,005÷0,01% и получению из них подложек, стойких к воздействию отжига на воздухе при температурах 1000÷1400°С в течение 2 часов и ультрафиолетового облучения в течение 1 часа при комна...