Ичкитидзе Левон Павлович (RU)

Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: сверхпроводниковый пленочный датчик слабого магнитного поля с трансформатором магнитного потока состоит из диэлектрической подложки на основе окиси магния, магниточувствительного элемента в виде полоски из пленки высокотемпературного сверхпр...

Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: в сверхпроводниковом пленочном трансформаторе магнитного потока, содержащем диэлектрическую подложку, сверхпроводниковое квадратообразное кольцо с узкой активной полосой, изолирующую пленку, помещенную между активной полосой трансформатора...