Кондратенко Тимофей Тимофеевич (RU)
Изобретатель Кондратенко Тимофей Тимофеевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения непланарных эпитаксиальных структур кремния методом газофазной эпитаксии и устройство для его осуществления
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии изготовления приборов микро- и силовой электроники с непланарной структурой. Техническим результатом изобретений является обеспечение возможности формирования непланарных эпитаксиальных структур кремния с однородным распределением электрофизических и структурных параметров: толщины слоя, удельного сопротивления, времени...
2290717Способ выращивания полых цилиндрических монокристаллов кремния на основе способа чохральского и устройство для его осуществления
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Способ заключается в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенными в ней тепловым узлом и полой...
2355831Полупроводниковая интегральная схема (варианты)
Изобретения относятся к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), и могут быть использованы в цифровых, аналоговых и запоминающих устройствах микроэлектроники. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении изобретений, являются увеличение степени интеграции ИС, уменьшение топологическог...
2400864Тонкопленочный кремниевый фотоэлектрический преобразователь
Изобретение относится к устройствам для генерирования электрической энергии из светового излучения Солнца, в частности к конструкции фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Устройство представляет собой тонкопленочный кремниевый ФЭП, состоящий из стальной подложки заданного химического состава, напиленных на нее слоев кремния и контактной сетки. Стальная подложка содержит С, Аl, Сu, Сr и Ni в м...
2477905Активный элемент твёрдотельного лазера и способ его охлаждения
Изобретение относится к лазерной технике. Активный элемент твердотельного лазера выполнен из прозрачного материала в виде полого тонкостенного цилиндра, высота которого много меньше его внутреннего и внешнего диаметров. Толщина стенки упомянутого полого тонкостенного цилиндра выбрана с учетом теплопроводности упомянутого прозрачного материала для гарантированного подавления термоупругих напряжений...
2664761