Крапухин Всеволод Валерьевич (RU)

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии изготовления приборов микро- и силовой электроники с непланарной структурой. Техническим результатом изобретений является обеспечение возможности формирования непланарных эпитаксиальных структур кремния с однородным распределением электрофизических и структурных параметров: толщины слоя, удельного сопротивления, времени...

Изобретение относится к нанотехнологии. Способ получения углеродного нанокристаллического материала включает приготовление раствора полиакрилонитрила (ПАН) (Мη=1×105) в диметилформамиде (ДМФА) с СПАН=1÷5 мас.%, выдерживание ПАН до растворения в ДМФА в течение 72 часов при 25°С, нанесение на стеклоуглеродную основу слоя раствора ПАН/ДМФА, сушку полимерного слоя в сушильном шкафу при 90°С в течени...

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания профилированных монокристаллов кремния в виде полых тонкостенных цилиндров для изготовления эпитаксиальных цилиндрических (непланарных) структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Способ заключается в том, что герметизируют и вакуумируют вакуумную камеру с расположенными в ней тепловым узлом и полой...