Фомина Лариса Валерьевна (RU)

Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: поверхность полупроводникового электрода арсенида галлия n-типа перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькоген содержащих соединений. Образец последовательно выдерживают сначала в течение 3 минут в 0.05 М...

Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькогенсодержащих соединений с последующей промывкой поверхности в прокипя...