Черномордик Владимир Дмитриевич (RU)
Изобретатель Черномордик Владимир Дмитриевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу
Изобретение относится к области получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, разложением кремнийсодержащей газовой смеси и может быть использовано в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу,...
2292606Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового матер...
2376677Способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способам формирования приборных систем микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя заключается в нанесении композитного материала, представляющего собой диэлектрическую матрицу на базе кремния с включениями кластеров. Такая структура мат...
2449416Конструкция диэлектрического слоя для мдп cтруктур, обладающих эффектом переключения проводимости
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными клас...
2563553Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающ...
2657096