PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Черномордик Владимир Дмитриевич (RU)

Изобретатель Черномордик Владимир Дмитриевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу

Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу

Изобретение относится к области получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, разложением кремнийсодержащей газовой смеси и может быть использовано в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу,...

2292606

Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой

Ячейка памяти со структурой проводящий слой-диэлектрик-проводящий слой

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового матер...

2376677

Способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя

Способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способам формирования приборных систем микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя заключается в нанесении композитного материала, представляющего собой диэлектрическую матрицу на базе кремния с включениями кластеров. Такая структура мат...

2449416

Конструкция диэлектрического слоя для мдп cтруктур, обладающих эффектом переключения проводимости

Конструкция диэлектрического слоя для мдп cтруктур, обладающих эффектом переключения проводимости

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными клас...

2563553

Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости

Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающ...

2657096