PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ильин Владимир Алексеевич (RU)

Изобретатель Ильин Владимир Алексеевич (RU) является автором следующих патентов:

Многослойный конденсатор

Многослойный конденсатор

 Многослойный конденсатор содержит по крайней мере два модуля, каждый из которых выполнен в виде двух электродов, разделенных прокладкой, проницаемой для электролита, и имеющий компенсационный объем. Модуль заключен в перфорированный корпус, закрытый изоляционной крышкой, а компенсационный объем расположен между этой крышкой и внешней пластиной токоотвода, имеющей кольцевой гофр. Техническ...

1840402

Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения

Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения

Изобретение относится к микроэлектронной измерительной технике и может быть использовано в конструкции и технологии производства полупроводниковых датчиков ультрафиолетового излучения (УФИ). Технический результат изобретения: повышение чувствительности к УФИ и упрощение конструкции датчика. Сущность: датчик содержит подложку, включающую монокристаллический и пористый слои карбида кремния, электрои...

2292609

Способ ультразвукового контроля подошвы рельса

Способ ультразвукового контроля подошвы рельса

Изобретение относится к неразрушающему контролю железнодорожных рельсов ультразвуковым методом и может быть использовано для обнаружения дефектов в подошвах рельсов. Согласно заявленному способу ультразвуковые колебания излучают с поверхности катания рельса лучом, угол раскрытия которого обеспечивает облучение радиусных переходов от шейки рельса к подошве отраженными от опорной плоскости подошвы...

2353924

Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием

Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием

Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой 3С-SiC...

2395867