Самсоненко Борис Николаевич (RU)

Использование: для изготовления устройств, преобразующих свет в электрическую энергию. Технический результат изобретения заключается в улучшении качества лицевых контактов фотопреобразователя за счет повышения адгезии и снижения переходного сопротивления. Сущность: способ изготовления фотопреобразователя на полупроводниковой пластине со структурой n-Ge подложка, n-GaAs буферный слой, n-GaAs базовы...

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве, заключается в повышении качества гальванической обработки полупроводниковых пластин и упрощении конструкции устройства. Сущность изобретения: в устройство для односторонней гальванической обработки полупр...

Способ изготовления контактов фотопреобразователя заключается в том, что на полупроводниковую пластину напыляют слой тыльной контактной металлизации, наращивают тыльный контакт электрохимическим осаждением серебра, создают фоторезистивную маску с рисунком лицевых контактов фотопреобразователя, удаляют фоторезист, напыляют слои лицевой контактной металлизации, создают фоторезистивную маску с расш...

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к фотопреобразователям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества контактов и увеличение выхода годных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающем создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маск...

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек. Технический результат заключается в повышении производительности и упрощении конструкции. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реакционными сосудами, выполненную с возможностью совершения орбитального движен...

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к способам получения трехкаскадных преобразователей. Технический результат, достигаемый в предложенном способе, изготовления фотопреобразователя заключается в улучшении однородности и воспроизводимости стравливания контактного слоя структуры, повышении фотоэлектрических параметров. Дос...

Изобретение относится к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом. Согласно изобретению на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/GaAs/Ge, выращенной на германиевой подложке с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопрео...

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, заключается в упрощении конструкции и улучшении однородности травления. В устройстве химико-динамического травления германиевых подложек, включающем платформу с реак...

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Технический результат, получаемый предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, заключается в улучшении электроизоляции...

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры лицевого и тыльно...

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигур...