PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Подкопаев Олег Иванович (RU)

Изобретатель Подкопаев Олег Иванович (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения германиевого концентрата из ископаемых углей

Способ получения германиевого концентрата из ископаемых углей

Изобретение относится к химической промышленности и металлургии и может быть использовано для получения германиевого концентрата из ископаемых углей. Техническим результатом является повышение степени извлечения германия из ископаемых углей без пирометаллургического обогащения германиевого концентрата. Для этого термообработку угля в виде слоев осуществляют в аппарате шахтного типа путем подачи во...

2293133

Способ получения кварцевых тиглей

Способ получения кварцевых тиглей

Изобретение относится к огнеупорной промышленности, а именно к производству крупногабаритных кварцевых тиглей, которые могут быть использованы в производстве полупроводниковых материалов. Техническим результатом изобретения является возможность изготовления кварцевых синтетических тиглей широкого ассортимента, в том числе тиглей больших размеров, диаметром свыше 330 мм, повышение чистоты синтетиче...

2333900

Способ изготовления кварцевых контейнеров

Способ изготовления кварцевых контейнеров

Изобретение относится к способам изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для синтеза и кристаллизации расплавов полупроводниковых материалов, а также для получения особо чистых металлов и полиметаллических сплавов. Способ изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для высокотемпературных процессов включает нанесение на рабочую поверхность кварце...

2504602

Способ выращивания кристаллов германия

Способ выращивания кристаллов германия

Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих и...

2563484

Устройство для выращивания монокристалла германия методом чохральского

Устройство для выращивания монокристалла германия методом чохральского

Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Устройство включает расположенные в ростовой камере 1 тигель 2 со смежными нагревателем 4 и теплоизоляцией 5, затравкодержатель 3, тепловой полый надтигельный цилиндрический экран 6, выполненный из низкотеплопроводного материала (кварца), который установлен на тигель 2 сверху с возможностью погружения в...

2563485


Способ выращивания монокристаллов германия

Способ выращивания монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия методом Чохральского для оптических применений. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и дополнительную - кремний, в количестве от 1,3⋅1020 см-3 до 3⋅1020 см-3 путем растворения кремниевых стержней в ходе выращивания кристалла. Техническим результатом изобрете...

2626359

Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия

Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия

Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к металлургии полупроводников, и предназначено для изготовления кварцевых контейнеров с покрытием из диоксида кремния рабочей поверхности. Способ получения покрытия на основе диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия включает введение в реакционную зону тетрахлорида кремния и воду и осаждение пленки диоксида н...

2631779