Подкопаев Олег Иванович (RU)
Изобретатель Подкопаев Олег Иванович (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения германиевого концентрата из ископаемых углей
Изобретение относится к химической промышленности и металлургии и может быть использовано для получения германиевого концентрата из ископаемых углей. Техническим результатом является повышение степени извлечения германия из ископаемых углей без пирометаллургического обогащения германиевого концентрата. Для этого термообработку угля в виде слоев осуществляют в аппарате шахтного типа путем подачи во...
2293133Способ получения кварцевых тиглей
Изобретение относится к огнеупорной промышленности, а именно к производству крупногабаритных кварцевых тиглей, которые могут быть использованы в производстве полупроводниковых материалов. Техническим результатом изобретения является возможность изготовления кварцевых синтетических тиглей широкого ассортимента, в том числе тиглей больших размеров, диаметром свыше 330 мм, повышение чистоты синтетиче...
2333900Способ изготовления кварцевых контейнеров
Изобретение относится к способам изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для синтеза и кристаллизации расплавов полупроводниковых материалов, а также для получения особо чистых металлов и полиметаллических сплавов. Способ изготовления кварцевых контейнеров с защитным углеродным покрытием для высокотемпературных процессов включает нанесение на рабочую поверхность кварце...
2504602Способ выращивания кристаллов германия
Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих и...
2563484Устройство для выращивания монокристалла германия методом чохральского
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Устройство включает расположенные в ростовой камере 1 тигель 2 со смежными нагревателем 4 и теплоизоляцией 5, затравкодержатель 3, тепловой полый надтигельный цилиндрический экран 6, выполненный из низкотеплопроводного материала (кварца), который установлен на тигель 2 сверху с возможностью погружения в...
2563485Способ выращивания монокристаллов германия
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия методом Чохральского для оптических применений. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и дополнительную - кремний, в количестве от 1,3⋅1020 см-3 до 3⋅1020 см-3 путем растворения кремниевых стержней в ходе выращивания кристалла. Техническим результатом изобрете...
2626359Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к металлургии полупроводников, и предназначено для изготовления кварцевых контейнеров с покрытием из диоксида кремния рабочей поверхности. Способ получения покрытия на основе диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого изделия включает введение в реакционную зону тетрахлорида кремния и воду и осаждение пленки диоксида н...
2631779