Пашков Виктор Семенович (RU)

Проекционное устройство включает в себя источник света, коллимирующую оптическую систему, по меньшей мере, один амплитудный модулятор, по меньшей мере, один сканирующий элемент, корректирующую оптическую систему, полигональное зеркало, поворотный оптический элемент, экранное зеркало и рассеивающий экран. При этом полигональное и экранное зеркала выполнены в виде массивов микрозеркал, а число позиц...

Изобретение относится к устройствам формирования изображения - дисплеям. Заявленное устройство содержит источник света, ЖК-панель, а также расположенные между ними перенаправляющую пленку и стек оптических волноводов, при этом оптические волноводы выполнены в виде пленок, первые концы которых направлены в сторону источника света, а вторые концы выдвинуты относительно друг друга с образованием зубч...

Изобретение относится к проекционной технике и может быть использовано для формирования и проецирования изображения в мониторах, телевизорах и других устройствах. Проектор с обратной связью включает источник света с множеством светодиодов красного, зеленого и синего цвета, направляющий элемент, по меньшей мере, одну проекционную линзу, пространственный световой модулятор, световой сенсор, выход ко...

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с т...

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, подложку из карбида кремния с текстур...