PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Пудонин Федор Алексеевич (RU)

Изобретатель Пудонин Федор Алексеевич (RU) является автором следующих патентов:

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является создание многослойной тонкоп...

2294026

Многослойная магниторезистивная наноструктура

Многослойная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является получение многослойной МР наноструктуры из магнитных наноостровов, имею...

2318255

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. В многослойной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая и вторая магн...

2334306

Фотоэлектрический преобразователь

Фотоэлектрический преобразователь

В фотопреобразователе с двухсторонней рабочей поверхностью, содержащем диодные структуры, каждая с n+-р (р+-n) переходом на лицевой поверхности кремниевой пластины и изотипным р-р+ (n-n+) переходом в базовой области на тыльной поверхности кремниевой пластины, толщина фотопреобразователя соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, диодные структуры с n+-р (р+-n) п...

2387048

Защитный элемент для проверки подлинности объекта защиты и способ проверки подлинности

Защитный элемент для проверки подлинности объекта защиты и способ проверки подлинности

Изобретение относится к области защиты от подделки объекта защиты, в частности ценных бумаг, банкнот, документов. Техническим результатом является повышение надежности защиты и упрощение проверки защитных свойств. Защитный элемент для проверки подлинности объекта защиты включает в себя подложку и металлизированный слой, где упомянутый металлизированный слой представляет собой однослойный или мног...

2406152