Принц В.Я.
Изобретатель Принц В.Я. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый прибор
Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности запи...
1306407
Матричный фотоприемник
Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является повышение фоточувствительности и быстродействия и обеспечение неразрущающего считывания. Матричный фотоприемник (МФП) состоит из фоточувствительных элементов (ФЧЭ), расположенных между сигнальными шинами. ФЧЭ выполнены из полупроводника, расположенного на полуизол...
1463083
Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для разрушающего контроля параметров полупроводниковых структур. Способ включает создание контактов к полуизолирующей подложке и к проводящему активному слою, приложение напряжения к контакту на подложке относительно контакта на активном слое, регистрацию изменения проводимости активного слоя. С целью обеспечения...
2006984
Способ изготовления субмикронных и нанометровых элементов твердотельных приборов
Использование: полупроводниковая технология, для создания многократно используемых масок с самоформирующимся и самосовмещенным литографическим рисунком. Сущность изобретения: способ заключается в следующем: на поверхность твердого тела наносят двухслойную маску с заданными свойствами и с рисунком, формирующим в ней концентраторы механических напряжений, обрабатывают маску для генерации в...
2094902
Неразрушающий способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках
Использование: полупроводниковая техника, для контроля полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур включает освещение структуры импульсом света с энергией кванта большей, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, и измерении СВЧ методом релаксации неравновесной проводимости структуры. Для расширения функциональных во...
2094908
Неразрушающий способ определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и устройство для его осуществления
Использование: полупроводниковая техника для неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов. Неразрушающий СВЧ- способ измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках предусматривает формирование неразрушающих контактов к структуре: со стороны полуизолирующей подложки - жидкого, прозрачного для СВЧ-излучения, а со стороны...
2097872
Способ изготовления защитной маски для нанолитографии
Использование: в технологии микро- и наноэлетроники, для изготовления защитной маски, необходимой для производства твердотельных приборов с характерными нанометровыми размерами элементов. Сущность изобретения: при изготовлении защитной маски для нанолитографии под монокристаллическим защитным слоем формируют вспомогательный слой, который селективно вытравливают под локальными областями за...
2112300
Микроигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления
Изобретение относится к медицине и биотехнологии, в частности к устройствам для осуществления инъекций, а именно к микроиглам, создаваемым технологиями, совместимыми с технологиями изготовления интегральных схем. Микроигла в интегральном исполнении содержит капиллярный канал и устройство для управления и/или анализа жидкости в капиллярном канале. Игла выполнена в виде трубки-свитка из нап...
2179458